[15p-B10-1~17] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[15p-B10-17] Surface activated bonding of Si substrates and ITO films

〇Tomoki Ogawa¹, Jianbo Liang¹, Kenji Araki², Takefumi Kamioka², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyota Technol. Inst.)

Keywords:Surface activated bonding, ITO

表面活性化接合 (SAB) 等の異種材料常温接合技術により、従来実現困難とされてきた新たな機能素子の実現が期待される。我々はSAB法を用いた異種半導体接合によりタンデム太陽電池を作製し、その特性を報告している 。
タンデム太陽電池におけるサブセル等の素子を電気的、光学的に接続するための手段として導電性酸化物を介した接合が有効と考えられる。今回我々は予備検討としてSi基板上に製膜したITO薄膜とSi基板と接合し、電気特性を調べた。