[15p-B10-1~17] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[15p-B10-16] Electrical characteristics of Cu foil/Si junctions by using surface activated bonding

〇Katsuya Furuna¹, Jianbo Liang¹, Moeko Matsubara², Marwan Dhamrin², Yoshitaka Nishio², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyo Aluminium K.K.)

Keywords:surface activated bonding method, Cu foil, Si

半導体素子の特性向上には電極の厚膜化が不可欠である。我々は既にSAB法により作製したAl箔/Si接合を評価し、Al箔は金属電極として機能し得ることを見出した。本研究では比抵抗に優れ、電極として普及しているCuで厚膜電極実現可能性の検討を行った。