[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-17] Si基板/ITO薄膜表面活性化接合の形成

〇小川 智輝¹、梁 剣波¹、荒木 建次²、神岡 武文²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大)

キーワード：表面活性化接合、ITO

表面活性化接合 (SAB) 等の異種材料常温接合技術により、従来実現困難とされてきた新たな機能素子の実現が期待される。我々はSAB法を用いた異種半導体接合によりタンデム太陽電池を作製し、その特性を報告している 。
タンデム太陽電池におけるサブセル等の素子を電気的、光学的に接続するための手段として導電性酸化物を介した接合が有効と考えられる。今回我々は予備検討としてSi基板上に製膜したITO薄膜とSi基板と接合し、電気特性を調べた。