[15p-B2-1~14] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[15p-B2-2] Comparative Study of Ambient-pressure XPS Spectra of Water-adsorbed GeO₂/Ge and SiO₂/Si Structures

〇Kenta Arima¹, Daichi Mori¹, Hiroshi Oka¹, Takuji Hosoi¹, Kentaro Kawai¹, Zhi Liu², Heiji Watanabe¹, Mizuho Morita¹ (1.Osaka Univ., 2.LBNL)

Keywords:oxide, Ge, water adsorption

放射光を光源としたambient-pressure XPSを用いて、超高真空中及び、水蒸気雰囲気下の二つの条件下においてGeO₂/Ge構造及び、SiO₂/Si構造を観測した。そして、Ge基板上のGeO₂薄膜はSi上のSiO₂とは異なり、X線照射とは無関係に、水蒸気に触れるだけで酸化膜の正帯電が進行することが示唆される結果を得た。