[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-3] SiO₂/Si 界面層付近での水素分子の振動数変化の解析

〇加藤 弘一¹、福谷 克之¹ (1.東大生産研)

キーワード：水素分子、シリコン酸化膜界面、シリコン

前回の講演ではSiO₂/Si構造中で水素分子が負に帯電しており、Si側にかけてより強く負に帯電し、界面で最も安定であることを明らかにした。今回これを同定するため、水素分子の振動が界面でどう変化するかを理論から調べた。真空中に比べてSiO₂中では振動数がやや高いが、界面からSi側にかけて急激に振動数が２０％以上下がる。ラマン分光での測定以外に、界面では水素が分極しており赤外分光でも測定できる可能が高い。