[15p-B2-1~14] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [15p-B2-4] Investigation of the origin of additional broad peaks in Raman spectra from thin SiGe films

〇Kazuma Takeuchi¹, Daisuke Kosemura¹, Ryo Yokogawa¹, Naomi Sawamoto¹, Koji Usuda², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:Silicon germanium, Raman spectroscopy, Broad peak

SiGeは電子デバイスや光デバイスなど様々な応用が期待されており、SiGeをこれらのデバイスに適用するためには、種々パラメータを最適化する必要がある。ラマン分光法は光学測定のため非接触・非破壊で測定可能であるなどの理由から、これらのパラメータを評価するために幅広く利用されている。我々は先行研究において、SiGeのラマンスペクトルは興味深い形状を示し、ピークの低波数側に特徴的なブロードニングが生じる事を報告した。本研究では、重要なSiGe材料物性の深い理解のために、ラマンスペクトルにおけるブロードピークの起源を詳細に検討した。