2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年9月15日(木) 13:45 〜 17:30 B2 (展示ホール内)

森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

14:30 〜 14:45

[15p-B2-4] SiGe薄膜のラマンスペクトルに見られるブロードピークの起源の検討

武内 一真1、小瀬村 大亮1、横川 凌1、澤本 直美1、臼田 宏治2、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.(株)東芝)

キーワード:シリコンゲルマニウム、ラマン分光法、ブロードピーク

SiGeは電子デバイスや光デバイスなど様々な応用が期待されており、SiGeをこれらのデバイスに適用するためには、種々パラメータを最適化する必要がある。ラマン分光法は光学測定のため非接触・非破壊で測定可能であるなどの理由から、これらのパラメータを評価するために幅広く利用されている。我々は先行研究において、SiGeのラマンスペクトルは興味深い形状を示し、ピークの低波数側に特徴的なブロードニングが生じる事を報告した。本研究では、重要なSiGe材料物性の深い理解のために、ラマンスペクトルにおけるブロードピークの起源を詳細に検討した。