The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[15p-B2-1~14] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Thu. Sep 15, 2016 1:45 PM - 5:30 PM B2 (Exhibition Hall)

Nobuya Mori(Osaka Univ.), Takashi Hasunuma(Univ. of Tsukuba)

3:15 PM - 3:30 PM

△ [15p-B2-7] Impacts of Ar beam irradiation time and recovery by annealing in Si-based Schottky contact

〇Shohei Hisamoto1, Naoteru Shigekawa1, Jianbo Liang1 (1.Osaka City Univ.)

Keywords:Ar beam, surface-activated bonding, Schottky

表面活性化ボンディング法(SAB) とは高真空中でArビームを試料表面に照射して表面を活性化し、加圧することで接合する方法である。SAB法により格子定数の差や熱膨張係数の異なる試料の接合が形成される。本研究ではSiの電気特性に対するAr照射時間の影響とその後の熱処理による回復を調べるために表面にArビームを照射後に、熱処理したn-Siの表面にショットキー電極を作成し、その特性を評価した。