2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年9月15日(木) 13:45 〜 17:30 B2 (展示ホール内)

森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

15:15 〜 15:30

[15p-B2-7] Siショットキー接合に対するAr原子ビーム照射時間の影響と熱処理による回復

久本 昇平1、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪市大工)

キーワード:Arビーム、表面活性化ボンディング法、ショットキー

表面活性化ボンディング法(SAB) とは高真空中でArビームを試料表面に照射して表面を活性化し、加圧することで接合する方法である。SAB法により格子定数の差や熱膨張係数の異なる試料の接合が形成される。本研究ではSiの電気特性に対するAr照射時間の影響とその後の熱処理による回復を調べるために表面にArビームを照射後に、熱処理したn-Siの表面にショットキー電極を作成し、その特性を評価した。