2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年9月15日(木) 13:45 〜 17:30 B2 (展示ホール内)

森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)

15:30 〜 15:45

[15p-B2-8] 内部量子効率マッピングによるPERC裏面の評価

望月 敏光1、Supawan Joonwichien1、白澤 勝彦1、高遠 秀尚1 (1.産総研)

キーワード:結晶シリコン、太陽電池、PERCセル

PERCセルを始めとした特殊な裏面構造のプロセスの最適化のために、分光感度と全反射率を同一座標系でマッピング可能な内部量子効率測定装置で、適切な励起条件を選択することでPERCセルの裏面側のパッシベーションの品質を可視化する手段を確立した。低品質のPERCセルではAl-BSF領域よりAlOx領域の量子効率が低く、Voidも散見されたが、高品質のセルではAlOx領域での高い量子効率が得られた。