[15p-B3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [15p-B3-2] イオン多重散乱によるMBE-β-FeSi₂/Siヘテロエピタキシーの評価

〇淵 雅也¹、有馬 幹尋¹、寺井 慶和¹、鳴海 一雅²、前田 佳均^1,2 (1.九工大院情報工、2.量研機構量子ビーム)

キーワード：鉄シリサイド、シリコンヘテロエピタキシャル、多重イオン散乱

シリコン基板上にMBE成長させた高品位なβ-FeSi₂薄膜のヘテロエピタキシーが可能になっている．軸イオンチャネリング測定からβ-FeSi₂(110),(101)//Siを評価した結果, 原子列の原子変位が非常に大きな値となり．従来の単一イオン散乱の仮定の枠組みでは理解が難しいことが分かった．本研究では，入射したイオンがβ-FeSi₂薄膜中で小角散乱による偏向を受けるイオン多重散乱理論を用いて，Si基板側のイオンチャネリングから，逆にβ--FeSi₂薄膜のエピタキシーを評価した．