2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

手塚 勉(東芝)、知京 豊裕(物材機構)

16:45 〜 17:00

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

関谷 陽介1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

キーワード:Ge-MIS構造、水素処理

Si-MOS構造に対する水素処理の改善効果が報告されているが、Ge-MOS構造ではそのような報告は極めて少ないため、逆に特性の悪化が示唆される。本研究ではGeO2/Ge.GeN/Geそれぞれに対して水素処理を施し、改善効果が見られるか調査した。