[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

〇(D)後藤 高寛^1,3、満原 学^2,3、星 拓也^2,3、杉山 弘樹^2,3、竹中 充^1,3、高木 信一^1,3 (1.東大院、2.NTT研、3.CREST)

キーワード：III-V族化合物半導体、pMOSFET、TFET

Sb系材料は、III-V族化合物半導体の中でも高い正孔移動度が得られること、さらに表面付近で圧縮歪みを入れることで、より正孔移動度が増大するため、p-MOSFETチャネルへの応用が期待される。また、GaAsSb/InGaAsヘテロ接合はType-IIバンド構造を取り、TFETに適用することで高いオン電流が期待されるため、TFETに向けた材料系としても注目を集めている。そこで本研究では、InP基板との格子整合系であるGaAsSbにInGaAsパッシベーション膜を形成し、MOS界面特性を評価した。