[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

〇(B)横山 千晶¹、張 志宇^1,2,3、竹中 充^1,2,3、高木 信一^1,2,3 (1.東京大工、2.東京大院工、3.JST-CREST)

キーワード：InGaAs、前処理、MOS界面

In_0.53Ga_0.47As上のMOS界面形成のための前処理として、(NH₄)S_x処理が一般に用いられる一方、InAsの場合はBHF処理で界面準位密度が低くなることが報告されており、最適な前処理方法とIn組成の関係は、良く理解されていない。今回、三種のIn_xGa_1-xAs(x=0.53, 0.7, 1)基板上のAl₂O₃によるMOS キャパシタに対して、(NH₄)S_x処理とBHF処理を行い、C-V特性、Terman法やConductance法をにより界面準位を調べたところ、In組成xが増えるに従いBHF処理を用いた方がより低い界面準位密度を得られることが分かった。