[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-10] A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察

〇須藤 正喜¹、姚 永昭²、菅原 義弘²、石川 由加里^1,2、加藤 正史¹ (1.名工大、2.ファインセラミックセンター)

キーワード：シリコンカーバイド、転位、積層欠陥

SiCバイポーラデバイスにおいて基底面転位の拡張とそれに伴うショックレー型積層欠陥の発生は順方向特性劣化をもたらすと言われている。トレンチ型デバイスではMOSの界面は(11-20)面が含まれており、酸化膜/(11-20)界面近傍における転位の解析はトレンチ型デバイスの信頼性を向上する上で重要である。本研究では(11-20)の4H-SiCにおいて電子線誘起電流法、カソードルミネッセンス測定を行い、転位の評価を行った。