[15p-C302-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-C302-2] Thinning of SiC Wafer by sub-atmospheric plasma etching with high concentration of SF₆

〇Yuuki Inoue¹, Koki Tajiri¹, Yasuhisa Sano¹, Satoshi Matsuyama¹, Kazuto Yamauchi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:plasma etching, SiC

本論文は、次世代パワーデバイス材料として注目の高いSiCの加工について、特にその裏面薄化行程において高圧力プラズマを用いたプラズマエッチング技術であるPCVM法の適用を試みたものである。本手法が機械加工に代わる新たな加工技術となり得ることを示すため、実用化を視野に入れた加工速度を達成することを目指した。SF₆の供給量と投入電力を増大させ、反応種であるFラジカル数を増加させることで加工速度を向上させた。大電力の投入はこれまで困難であったが、新たな試料台を用いることで大電力を投入しても安定なプラズマの発生に成功し、２インチウエハ全面加工速度15.2 μm/minという高能率な加工を実現した。