[15p-C302-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-C302-4] Generation of etch pits in electrochemical etching of p-type SiC

〇(M1)Taro Enokizono¹, Tsunenobu Kimoto¹, Jun Suda¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:SiC, elecrochemical etching, etch pits

p型SiCのエッチング手法の一つに電気化学エッチング(ECエッチング)がある。ECエッチングを行うと、転位が存在する場所にピットが形成されるが、貫通螺旋転位(TSD)、貫通刃状転位(TED)、基底面転位(BPD)によってピットの形状が大きく変化した。BPDに関しては溶融KOHエッチングと同じような形状となったが、TSD、TEDに関しては特徴的な形状となった。この違いは、根本的なエッチングメカニズムの違いにより生じたと考えられる。