[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-8] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるSiC ウエハ/デバイスの局所特性評価

〇中西 英俊¹、西村 辰彦¹、北村 藤和¹、水端 稔¹、酒井 裕司²、川山 巌²、斗内 政吉² (1.SCREEN、2.阪大レーザー研)

キーワード：テラヘルツ波、ワイドギャップ半導体、シリコンカーバイド

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡（LTEM）は、半導体などの試料に対して、パルスレーザーを照射した時に発生するTHz波を検出し・可視化する技術である。昨年、LTEM技術をワイドギャップ半導体材料のGaNウエハに適用し、新規評価技術としての有効性を示した。今回、ワイドギャップ半導体材料のSiCウエハ/SiCデバイスよりTHz波を検出・イメージングに成功したので報告する。