[15p-D61-1~14] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[15p-D61-3] PECVD-SiO₂膜を用いたNb-9層アドバンストプロセスの歩留り向上

〇永沢 秀一¹、日高 睦夫¹ (1.産総研)

キーワード：超伝導、製造プロセス、PECVD

PECVD-SiO₂膜を層間絶縁膜として適用したNb-9層のアドバンストプロセス（ADP2）のプロセス技術、及び、そのプロセス技術で試作したSFQシフトレジスタの歩留り評価について報告する。PECVD-SiO₂膜の導入により、欠陥等が大幅に低減し、1万接合を超える大規模なSFQ回路の動作イールドを大幅に改善することが出来た。