[15p-P13-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[15p-P13-9] ドープ層を含むCat-CVD a-Siパッシベーション膜へのITOスパッタダメージ

〇小西 武雄¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：スパッタ、触媒化学気相堆積、太陽電池

a-Siパッシベーション膜上に スパッタ法でITO膜を堆積すると，プラズマの影響により a-Si/c-Si界面特性が悪化し、τ_effが大幅に低下する．Cat-CVD法にて堆積したn-およびp-a-Si/i-a-Si積層膜上にスパッタ基板温度の異なるITO膜を堆積し、ポストアニールによるτ_effの回復を調査した結果、p-a-Si/i-a-Si積層構造では基板温度に依存し、また回復が遅いことを確認した。