[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-17] ReRAMにおける供給溶媒のパラメータと抵抗変化特性の相関関係

〇(M2)河野 公紀¹、落合 克行¹、岸田 悟^1,2、木下 健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化物エレクトロニクス、NiO