The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Poster presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[15p-P3-1~32] 6.3 Oxide electronics

Thu. Sep 15, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P3 (Exhibition Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[15p-P3-30] Electrical and optical properties of NbO2 films grown by solid phase crystallization

Shoichiro Nakao1, Hideyuki Kamisaka2, Yasushi Hirose1,2, Tetsuya Hasegawa1,2 (1.KAST, 2.The Unvi. of Tokyo)

Keywords:solid phase crystallization, NbO2, pulsed laser deposition

NbO2は歪んだルチル構造を持ち、バルクでは104 ohm*cm 程度の抵抗率を示す。近年、NbO2薄膜の電子デバイスへの応用が報告されているが、薄膜自体の電気特性は殆ど調べられていない。更に光学ギャップの値についても議論が分かれている。以前、我々は非晶質前駆体薄膜の酸素量がNbO2多結晶薄膜の結晶性や配向制御に重要である事を報告した。今回、得られたNbO2薄膜の電気・光学特性を報告する。