[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-29] 基板バイアス印加スパッタ法によるZnO薄膜の配向制御

〇譲原 一樹¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：ZnO薄膜

酸化亜鉛 (ZnO) は，表面弾性波素子への応用が進展している．ZnO薄膜堆積では安定面であるc面が基板に平行なc軸配向膜が比較的室温で得られる．しかし，すべり表面弾性波デバイスへの応用などにはc軸が基板面と平行かつ一方方向に配向したZnO薄膜成長が望まれる． そこで，反応性スッパタにおいて基板に高周波バイアスを0～40 Wの間，5 W印加して，基板入射イオンエネルギー制御によってZnO結晶の成長促進及び配向制御を試みた．