13:30 〜 15:30
[15p-P4-3] VO2金属相からの選択的STM発光
キーワード:STM発光、VO2、バンド間遷移
半導体相と金属相が共存するVO2薄膜試料を走査型トンネル顕微鏡(STM)に導入し、トポ像観察、走査トンネル分光(STS)測定と並行して、探針−試料間に起こる発光の計測を行なった。金属的なSTS特性を示す点においては2.0 eVあるいは2.7 eVに発光が観測された一方、半導体的特性の点では発光は観測されなかった。発光特性のバイアス依存性および理論計算より、発光機構はバンド間遷移であると結論した。