2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:15 A21 (メインホールA)

岩谷 素顕(名城大)、斎藤 義樹(豊田合成)

09:15 〜 09:30

[16a-A21-2] 分極電荷による高ホール濃度を有するp型AlGaNの作製

安田 俊輝1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、赤﨑 勇1,2、天野 浩2,3 (1.名城大理工、2.名古屋大赤﨑記念研究センター、3.名古屋大未来材料システム研究所)

キーワード:p型AlGaN、分極、ホール