[16a-A21-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [16a-A21-5] Characterization of AlGaN/GaN heterostructure by in situ X-ray diffraction attached metalorganic vapor phase epitaxy

〇(M1)Ryosuke Kanayama¹, Junya Osumi¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ, 2.Akasaki Res Cen, Nagoya Univ)

Keywords:AlGaN

本研究では、報告例の少ないその場観察X線回折測定装置を用いて、AlGaN/GaNヘテロ構造の成長機構分析行った。その結果として、逆格子空間マッピングの示す緩和とほぼ一致するという成果をあげ、光センサを用いた反り測定の緩和結果と比較して、より精度が高いことを示した。