[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-A22-2] β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

〇橋口 明広¹、森林 朋也¹、花田 賢志¹、大島 孝仁¹、大石 敏之¹、輿 公祥²、佐々木 公平²、倉又 朗人²、上田 修³、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院、2.タムラ製作所、3.金沢工大)

キーワード：酸化ガリウム、リーク電流、結晶欠陥

我々は酸化ガリウム(0-10)面単結晶基板の全面にSBDを作製し，電流電圧特性を測定した．次に同基板をエッチングし欠陥によるエッチピットの観察を行い，面内のエッチピットの分布を調べた．結果エッチピットの個数が多いほどSBDのリーク電流が高いことが分かった．これは結晶欠陥がリーク電流の経路になっていることを示している．