[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-A22-7] α-(In,Ga)₂O₃/α-Ga₂O₃ヘテロ構造の界面急峻化に向けた研究

〇内田 昌志¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：半導体、薄膜