[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [16a-A22-8] Siドープα-Ga₂O₃薄膜の作製とその電気特性解析

〇内田 貴之¹、神野 莉衣奈¹、竹本 柊¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス

近年注目されるGa2O3のコランダム構造であるα-Ga2O3において、電気導電性制御に向けて、Siドープを行った。その作製手法、電気特性について発表を行う。