11:00 AM - 11:15 AM
△ [16a-A22-8] Fabrication and electrical property analysis of Si doped α-Ga2O3
Keywords:Ga2O3, power devices
近年注目されるGa2O3のコランダム構造であるα-Ga2O3において、電気導電性制御に向けて、Siドープを行った。その作製手法、電気特性について発表を行う。
Oral presentation
Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"
Fri. Sep 16, 2016 9:00 AM - 11:45 AM A22 (Main Hall B)
Toshiyuki Kawaharamura(Kochi Univ. of Tech.)
11:00 AM - 11:15 AM
Keywords:Ga2O3, power devices