[16a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-A22-9] α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜のドライエッチングの特性

〇内田 貴之¹、中村 昌幸²、金子 健太郎¹、神野 莉衣奈¹、小林 貴之²、本山 慎一²、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.サムコ株式会社)

キーワード：ドライエッチング、酸化アルミニウムガリウム

パワーデバイス材料として注目されるα-Ga2O3のAlとの混晶であるα-(Al,Ga)2O3薄膜はバンドギャップ値が5.3-8.0 eVまで変調可能であり、多くの応用が期待される材料である。しかし、Ga2O3は熱リン酸を用いてウエットエッチングが可能であるが、Al2O3のウエットエッチングは難しいため、それぞれの混晶薄膜であるα-(Al,Ga)2O3はウエットエッチングが困難である。そこで、ドライエッチングによるα-(Al,Ga)2O3のエッチングを試みた。講演予定の条件において、α-(Al,Ga)2O3に対してドライエッチングが有効である良好な結果が得られた。