[16a-A24-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[16a-A24-5] トライオードPECVD法を用いたnip型a-Si:Hおよび多接合薄膜シリコン太陽電池

〇齋 均¹、松井 卓矢¹、松原 浩司¹ (1.産総研)

キーワード：太陽電池、シリコン、薄膜

我々は最近、薄膜Si系多接合太陽電池にて世界最高の安定化効率13.6%を報告したが、トップセルであるnip型a-Si:H太陽電池に大きな改善余地を残していた。また、a-Si:H太陽電池の光劣化抑制に効果があるトライオードPECVD法も未適用であった。本講演では、nip型a-Si:H太陽電池の特性改善に向けたp層や界面層、トライオード法の検討結果について、多接合太陽電池の結果も含めて報告する。