[16a-A26-1~7] 13.7 ナノ構造・量子現象

△ [16a-A26-3] SiドープIn_0.8Ga_0.2As/Al_0.5Ga_0.5As/AlAs_0.56Sb_0.44結合量子井戸におけるスピン緩和

〇石川 友樹¹、牛頭 信一郎²、物集 照夫²、大木 俊介¹、山田 築¹、亀崎 拓也¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.産総研)

キーワード：スピントロニクス、結合量子井戸、化合物半導体

ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓＳｂ結合量子井戸は伝導帯において１．7ｅＶと大きなバンドオフセット持つため通信波長帯である１．５５μｍでのサブバンド間遷移を利用した全光スイッチングデバイスへの応用が期待されている。本研究では円偏光時間分解ポンププローブ反射計測により井戸層にＳｉをドープしたＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＡｌＡｓＳｂ結合量子井戸のスピン緩和現象を調べた。その結果、井戸層にＳｉをドープすることにより１０Ｋにて励起光強度依存性のあるＢｉｒ－Ａｒｏｎｏｖ－Ｐｉｋｕｓ効果が寄与することが分かった。