[16a-A32-1~9] 17.3 層状物質

[16a-A32-6] 強誘電体VDF/TrFEを用いたトップゲート型MoS₂-FET構造の作製

〇渡辺 貞宗¹、清水 勝基¹、中嶋 宇史²、川江 健¹ (1.金沢大、2.東京理科大)

キーワード：二硫化モリブデン、電界効果トランジスタ、強誘電体