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[16a-A33-4] CH4プラズマを用いた酸化グラフェンからのグラフェン生成における反応ガス比の影響
キーワード:酸化グラフェン、プラズマ、グラフェン
CH4プラズマを用いた絶縁物上のグラフェン生成において、移動度500 cm2 /( V・s) をもつ高結晶性のグラフェンの作製には成功していたが、G bandの半値幅が大きいことや反応過程が不明であることなどの課題があった。今回はCH4 とH2の流量比を変化させることによって結晶性の向上と反応過程の解明を試みた。水素を増加させることでG bandの半値幅の小さい結晶性の高いグラフェンの作製に成功した。