[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-10] InP光集積フェーズドアレイの試作と評価

〇小松 憲人¹、福田 将治¹、種村 拓夫¹、中野 義昭¹ (1.東大院工)

キーワード：光フェーズドアレイ、InP、光偏向素子

レーザ光の伝搬方向を動的に制御する光偏向素子は，光センシング領域で需要が高まっている．特に半導体光フェーズドアレイは，従来の機械式偏向素子では実現できないナノ秒オーダの高速応答が可能であるとして注目されている．レーザとの集積や増幅器による高出力化を見据え，InGaAsP/InGaAsP多重量子井戸活性層を導入したInP集積光フェーズドアレイ素子を試作し，0.12μs以下の応答を観測した．