[16a-A35-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[16a-A35-9] Improvement of Quantum Efficiency of Charge-Sensitive Infrared Phototransistors (CSIP) due to Backside Illumination

〇Sunmi Kim¹, Susumu Komiyama^2,3, Mikhail Patrashin³, Kuan-Ting Lin¹, Hirofumi Nema¹, Kazuyuki Yamanaka¹, Yusuke Kajihara¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.Dept. Basic Sci., Univ. of Tokyo, 3.NICT)

Keywords:Quantum well, Quantum efficiency, Backside illumination

電荷敏感型赤外検出器（CSIP: Charge Sensitive Infrared Phototransistor) の量子効率向上に向けて、GaAs 基板側から光を入射する裏面入射を検討する。裏面入射で量子効率が向上することがシミュレーションの結果で得られているが、実験的に確かめるため、Cross-hole arrayの光カプラを持つCSIPを作製し、表面/裏面入射による量子効率を評価した。その結果、表面入射で12％から裏面入射の方で26％まで向上が確認され、裏面入射が量子効率向上に有効である事が分かった。