[16a-A35-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[16a-A35-3] 相変化材料被覆ナノワイヤを用いたInAs量子ドットの発光偏光特性制御

〇山村 有慶¹、山口 慧¹、Nicolas Chauvin²、Michel Gendry³、斎木 敏治¹ (1.慶大院理工、2.国立応科院リヨン校、3.エコール・サントラル・ドゥ・リヨン)

キーワード：半導体光物性