[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-12] 高感度電子線ホログラフィーによるGaN/AlGaN界面に形成された２次元電子ガス層の可視化

〇山本 和生¹ (1.ファインセラミックスセンター)

キーワード：窒化物半導体、電子ガス、電子線ホログラフィー

高性能かつ高信頼性を有する次世代GaNデバイスを開発するには，GaN/AlGaNなどヘテロ界面に形成される２次元電子ガス層やホールガス層を直接評価することが必須である．今回我々は，高感度電子線ホログラフィーを用いて，ナノメートル領域に形成される２次元電子ガス層を極めてクリアに可視化することに成功したので報告する．