[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-B1-4] オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明

〇大美賀 圭一¹、舘野 泰範²、河内 剛志²、駒谷 務³、永村 直佳⁴、今野 隼⁵、高橋 良暢⁵、小嗣 真人⁵、堀場 弘司⁶、尾嶋 正治⁷、末光 眞希¹、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.住友電工、3.住友電工デバイス・イノベーション、4.NIMS、5.東京理科大学、6.KEK/PF、7.東京大学)

キーワード：GaN-HEMT、電流コラプス現象、オペランド顕微分光法

GaN-HEMTの高性能化の課題の一つとして「高電圧ストレスにより電流が減少するという」電流コラプス現象が挙げられる。本発表では、実動作下にあるデバイスの表面を高空間分解能(< 70 nm)かつ元素選択的に観察することができるオペランド顕微X線光電子分光測定を用いて、電流コラプス現象を引き起こすGaN-HEMTの表面準位による電子捕獲過程を明らかにすることを目的とした研究結果を報告する。