[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-B1-7] MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響

〇澤田 直暉¹、成田 哲生²、上杉 勉²、加地 徹³、堀田 昌宏¹、須田 淳¹ (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位、電気特性

本研究では、貫通転位が電気特性に与える影響を明確にするため、サファイア基板AlNテンプレート上およびGaN基板上にSiドープn型GaN層を同時にMOVPE成長し、それら試料のHall効果測定を行い、測定結果を比較し考察した。AlN/sapp.テンプレート上試料の移動度は、全温度領域でGaN基板上試料より低下した。これは転位散乱の影響だと考えられ、また、その影響は低ドープになるほど顕著になる。