10:45 〜 11:00 △ [16a-B1-7] MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響 〇澤田 直暉1、成田 哲生2、上杉 勉2、加地 徹3、堀田 昌宏1、須田 淳1 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大)