[16a-B10-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16a-B10-1] Formation of shallow junctions with high activation in n+/p and p+/n Ge using ion implantation and FLA

〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Shinichi Kato¹, Takayuki Aoyama¹, Ippei Kobayashi¹, Hiroshi Onoda², Yoshiki Nakashima², Tsutomu Nagayama², Nariaki Hamamoto², Shigeki Sakai² (1.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 2.Nissin Ion Equipment Co., Ltd.)

Keywords:germanium, shallow junction, high activation

ゲルマニウムはその移動度の高さから、高性能トランジスタのチャネル材料として期待されている。一方で、n型不純物のリンはp型不純物のボロンと比較して拡散係数が大きく、拡散を制御することが難しい。我々はこれまでに、P注入Geにおいて14nmの浅接合形成を報告している。本発表では、高活性かつ、より浅い10nmの接合形成に関して報告する。