[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-1] イオン注入およびFLAを用いたn+/p, p+/n Geにおける高活性化と浅い接合形成

〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、加藤 慎一¹、青山 敬幸¹、小林 一平¹、鈇田 博²、中島 良樹²、永山 勉²、濱本 成顕²、酒井 滋樹² (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ、2.日新イオン機器)

キーワード：ゲルマニウム、浅接合、高活性化

ゲルマニウムはその移動度の高さから、高性能トランジスタのチャネル材料として期待されている。一方で、n型不純物のリンはp型不純物のボロンと比較して拡散係数が大きく、拡散を制御することが難しい。我々はこれまでに、P注入Geにおいて14nmの浅接合形成を報告している。本発表では、高活性かつ、より浅い10nmの接合形成に関して報告する。