[16a-B10-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16a-B10-2] Shallow and high activated junctions in n+/p Ge using FLA and O knocked on effect

〇Hikaru Kawarazaki¹, Hideaki Tanimura¹, Shinichi Kato¹, Takayuki Aoyama¹, Ippei Kobayashi¹, Hiroshi Onoda², Yoshiki Nakashima², Tsutomu Nagayama², Nariaki Hamamoto², Shigeki Sakai² (1.SCREEN Semiconductor Solutions, 2.NISSIN ION EQUIPMENT)

Keywords:Ge, FLA

シリコン(Si)よりも高い移動度を示すゲルマニウム(Ge)は5nm世代以降のトランジスタのチャネル材料として有望視されている。しかし、Ge中の不純物活性化に関する報告例は少なく、特にn型不純物はp型不純物と比べ拡散係数が大きいため浅く高活性な接合形成に関する報告例が少ない。我々はこれまでに、Ge中のn型不純物の活性化を報告してきた。本発表では、さらなる高活性化に向け、イオン注入時の酸素のノックオンが活性化に与える影響を報告する。