[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [16a-B10-4] 非晶質Zr-Ge-N層上への金属堆積による低抵抗Geコンタクトの形成

〇岡本 隼人¹、山本 圭介²、王 冬¹、中島 寛² (1.九大・大学院総合理工学府/研究院、2.九大・産学連携センター)

キーワード：ゲルマニウム、コンタクト抵抗、金属/半導体接合

これまでに我々は、スパッタ堆積したZrN/Ge構造で、界面にN原子を含む非晶質Ge界面層が形成され、これによりFLPが変調して低電子障壁のコンタクトが実現できることを報告してきた。本研究では、界面層の形成後に、ZrNを仕事関数の小さな金属へ置き換えることで、低いコンタクト抵抗率を有する金属/n-Ge接合の形成を試みた。その結果、Ag/n⁺-Ge構造では、表面不純物濃度N_D=3.9×10¹⁹ cm^-3において、7.15×10^-7 Ω·cm²の極めて小さなコンタクト抵抗率が得られた。