[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-5] 組成制御した気相合成Wジャーマナイド薄膜とn-Geとの接合特性

〇岡田 直也^1,2、内田 紀行²、金山 敏彦² (1.JSTさきがけ、2.産総研)

キーワード：コンタクト、ジャーマナイド、CVD

本研究では、Geとのバンドオフセットが小さく、かつ界面準位を終端する材料として、WとGeの化合物であるWジャーマナイド（WGe_n）薄膜に着目し、n-Geとの接合特性を調べた。Geとのバンドオフセットの小さな狭ギャップ半導体であるWGe_n膜（n = ~2）をGeと金属電極の接触界面に挿入することで、フェルミレベルピンニングを緩和でき、接触抵抗の低減が可能である。