[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-6] 金属/n-Ge接合へのSi_xGe_1−x−ySn_y層挿入によるショットキー障壁高さの低減

〇鈴木 陽洋^1,2、戸田 祥太¹、中塚 理¹、坂下 満男¹、財満 鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

キーワード：ゲルマニウム、ショットキー障壁高さ、シリコンゲルマニウムスズ