[16a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-B10-7] ナノシリコン弾道電子源を利用した IV 族半導体薄膜のプリンティング堆積

〇須田 隆太郎¹、八木 麻実子¹、小島 明¹、白樫 淳一¹、越田 信義¹ (1.農工大・院･工)

キーワード：ナノシリコン、弾道電子、プリンティング堆積

ナノシリコンダイオードから面放出する弾道電子を物質塩溶液に注入すると、還元効果により当該物質の薄膜が堆積する。これを発展させて溶液を塗布した対向基板に弾道電子を近接照射するプリンティング方式を開発し、金属に加えてSiおよびGeの薄膜堆積に対する有効性を確認した。また核成長に関わる自由エネルギーの観点から、本方式の電子照射エネルギーがクラスター形成に必要な条件に適合することを裏付けた。