[16a-B4-1~13] 3.11 フォトニック構造・現象

△ [16a-B4-5] 1310/1550nm 波長帯で動作する高Q 値ナノ共振器の1 チップ集積

〇(M1)桑原 充輝¹、高橋 和¹、野田 進² (1.大阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：高Q値ナノ共振器、シリコンフォトニクス、光通信

SOI基板上に作製されるシリコンフォトニクス素子の動作波長域はデバイスサイズに依存するため、1チップで様々な波長で動作させるにはシリコン層の位置選択的な膜厚制御が必要とされる。今回我々はシリコンをサブナノメートル精度で薄膜化する技術を開発し、1チップ上に異なる膜厚を持つSOI基板を作製した。この基板に1.31/1.55 µm帯で動作する高Q値ナノ共振器をそれぞれ同時に作製し、両者ともにQ値100万以上を達成したので報告する。